18922924269
語言切換 
中文
HiPIMS金屬填充工藝——納米孔洞超填充&Cu vs Co
采用HiPIMS技術(shù)結(jié)合偏壓，Cu離子分?jǐn)?shù)約50%，可實現(xiàn)納米孔洞完美填充。DCMS因中性原子方向發(fā)散無法填充；Co雖放電功率更高，但離子到達(dá)基片分?jǐn)?shù)僅34%，填充效果遠(yuǎn)遜于Cu。再濺射與再沉積是超填充的關(guān)鍵機(jī)理
采用HiPIMS技術(shù)結(jié)合偏壓，Cu離子分?jǐn)?shù)約50%，可實現(xiàn)納米孔洞完美填充。DCMS因中性原子方向發(fā)散無法填充；Co雖放電功率更高，但離子到達(dá)基片分?jǐn)?shù)僅34%，填充效果遠(yuǎn)遜于Cu。再濺射與再沉積是超填充的關(guān)鍵機(jī)理